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담당자 : will
전화 번호 : 13418952874

FCD1300N80Z Fet n채널 Mosfet 회로 800V 4A Tc 52W Tc 표면 부착 TO-252AA

원래 장소 미국
브랜드 이름 onsemi
인증 RoHS
모델 번호 FCD1300N80Z
최소 주문 수량 2500 PC
가격 Negotiable
포장 세부 사항 2500 PC / 테이프
배달 시간 2-3 일
지불 조건 L/C (신용장), 인수 인도, D/P (지급도 조건), 전신환
공급 능력 12.5K PC

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제품 상세 정보
제조사 온새미 범주 한 개의 페트스, 모스페트스
상품 번호 FCD1300N80Z 시리즈 SuperFET® II
제품 상태 전혀 새로운 디자인을 위해 기술 MOSFET (금속 산화물)
소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요 800 V 경향 - 25' C에 있는 연속배수 (Id) 4A (Tc)
구동 전압 (Rds를에 민 Rds에 최대한으로 씁니다) 10V Id, 브그스에 있는 (맥스) 위의 Rds 2A, 10V에 있는 1.3Ohm
Id에 있는 Vgs(th) (맥스) 400uA에 있는 4.5V 게이트는 브그스에 (큐그에게) (맥스)를 청구합니다 10 V에 있는 21 nC
브그스 (맥스) ±20V Vds에 있는 입력 커패시턴스 (CIS) (맥스) 100 V에 있는 880 pF
전력 소모 (맥스) 52W (Tc) 작동 온도 -55' C ~ 150' C (TJ)
증가하는 타입 표면 부착 패키지 / 건 TO-252-3, 드팩 (2개 리드 + 탭), SC-63
공급자 소자 패키지 TO-252AA
하이 라이트

n채널 모스펫 회로

,

엔 fet 스위치 회로

,

FCD1300N80Z

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제품 설명

FCD1300N80Z 엔-채널 800 V 4A (Tc) 52W (Tc) 표면 부착 TO-252AA

 

데이터 시트 :FCD1300N80Z

범주 한 개의 페트스, 모스페트스
엠에프르 온새미
시리즈 슈퍼펫 II
제품 상태 전혀 새로운 디자인을 위해
FET은 타이핑합니다 엔-채널
기술 MOSFET (금속 산화물)
소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요 800 V
경향 - 25' C에 있는 연속배수 (Id) 4A (Tc)
구동 전압 (Rds를에 민 Rds에 최대한으로 씁니다) 10V
Id, 브그스에 있는 (맥스) 위의 Rds 2A, 10V에 있는 1.3Ohm
Id에 있는 Vgs(th) (맥스) 4.5V @400uA
게이트는 브그스에 (큐그에게) (맥스)를 청구합니다 10 V에 있는 21 nC
브그스 (맥스) ±20V
Vds에 있는 입력 커패시턴스 (CIS) (맥스) 100 V에 있는 880 pF
FET 특징 -
전력 소모 (맥스) 52W (Tc)
작동 온도 -55' C ~ 150' C (TJ)
증가하는 타입 표면 부착
공급자 소자 패키지 TO-252AA
패키지 / 건 TO-252-3, 드팩 (2개 리드 + 탭), SC-63
베이스 상품 다수 FCD1300

추가 자원

특성 기술
이명 FCD1300N80ZCT
  ONSONSFCD1300N80Z
  FCD1300N80ZDKR
  FCD1300N80ZTR
  2156-FCD1300N80Z-OS
표준 패키지 2500

데이터 사진 :https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/fcd1300n80z-d.pdf
FCD1300N80Z  Fet n채널 Mosfet 회로 800V 4A Tc 52W  Tc 표면 부착 TO-252AA 0