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FGD3N60UNDF 이산 반도체 품목 IGBT NPT 600V 6 60W 표면이 TO-252AA를 탑재합니다
| 제조사: | 온새미 |
|---|---|
| 범주: | 한 개의 이그브츠 |
| 상품 번호: | FGD3N60UNDF |
FDC6321C 파워 모스펫 배열 Ic 25V 680mA 460mA 700mW 표면 부착 SuperSOTTM-6
| 제조사: | 온새미 |
|---|---|
| 범주: | FET, MOSFET 배열 |
| 상품 번호: | FDC6321C |
IRF7480MTRPBF 저항기 다이오드·트랜지스터 엔-채널 40V 217A Ｃ 96W Tc 디렉트페트 등척성 나
| 범주: | 한 개의 페트스, 모스페트스 |
|---|---|
| 엠에프르: | 인피니언 테크놀러지 |
| 시리즈: | HEXFET®, 스트롱르펫텀 |
ATP114-TL-H 다이오드·트랜지스터 P-채널 Mosfet 60 Ｖ 55A Ta 60W Tc 표면 부착 ATPAK
| 범주: | 한 개의 페트스, 모스페트스 |
|---|---|
| 엠에프르: | 온새미 |
| FET은 타이핑합니다: | P-채널 |
IPP65R110CFDA 다이오드·트랜지스터와 사이리스터 엔-채널 650 Ｖ 31.2A Tc 277.8W Tc PG-TO220-3
| 범주: | 한 개의 페트스, 모스페트스 |
|---|---|
| 엠에프르: | 인피니언 테크놀러지 |
| 시리즈: | 자동차, AEC-Q101, 쿨모스트텀 |
IMZ120R090M1H 인피네온 n채널 Mosfet 다이오드 1200 Ｖ 26A Tc 115W Tc 하루 홀 PG-TO247-4-1
| 범주: | 한 개의 페트스, 모스페트스 |
|---|---|
| 엠에프르: | 인피니언 테크놀러지 |
| 시리즈: | 쿨식 |
IPP65R110CFDA 고전력 n채널 Mosfet 논리 레벨 엔 650V 31.2A Tc 277.8W PG-TO220-3
| 범주: | 한 개의 페트스, 모스페트스 |
|---|---|
| 엠에프르: | 인피니언 테크놀러지 |
| 시리즈: | 자동차, AEC-Q101, 쿨모스트텀 |
BUF420AW 양극 BJT NPN 다이오드·트랜지스터 450 Ｖ 30 철저한 200 Ｗ가 TO-247-3에 구멍을 뚫습니다
| 범주: | 바이폴라 트랜지스터 - BJT |
|---|---|
| 엠에프르: | 스트미크로일렉트로닉스 |
| 트랜지스터형: | NPN |