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담당자 :
will
전화 번호 :
13418952874
IPP65R110CFDA 고전력 n채널 Mosfet 논리 레벨 엔 650V 31.2A Tc 277.8W PG-TO220-3
| 원래 장소 | 미국 |
|---|---|
| 브랜드 이름 | Infineon Technologies |
| 인증 | RoHS |
| 모델 번호 | IPP65R110CFDA |
| 최소 주문 수량 | 50 PC |
| 가격 | Negotiable |
| 포장 세부 사항 | 50 PC / 튜브 |
| 배달 시간 | 2-3 일 |
| 지불 조건 | L/C (신용장), 인수 인도, D/P (지급도 조건), 전신환 |
| 공급 능력 | 6K PC |
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x제품 상세 정보
| 범주 | 한 개의 페트스, 모스페트스 | 엠에프르 | 인피니언 테크놀러지 |
|---|---|---|---|
| 시리즈 | 자동차, AEC-Q101, 쿨모스트텀 | 제품 상태 | 활동가 |
| FET은 타이핑합니다 | 엔-채널 | 기술 | MOSFET (금속 산화물) |
| 소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요 | 650V | 경향 - 25' Ｃ에 있는 연속배수 (Id) | 31.2A (Tc) |
| 구동 전압 (Rds를에 민 Rds에 최대한으로 씁니다) | 10V | Id, 브그스에 있는 (맥스) 위의 Rds | 12.7A, 10V에 있는 110mOhm |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스) | 1.3mA에 있는 4.5V | 게이트는 브그스에 (큐그에게) (맥스)를 청구합니다 | 10 Ｖ에 있는 118 nC |
| 브그스 (맥스) | ±20V | Vds에 있는 입력 커패시턴스 (CIS) (맥스) | 100 Ｖ에 있는 3240 pF |
| 전력 소모 (맥스) | 277.8W (Tc) | 작동 온도 | -40' Ｃ ~ 150' Ｃ (TJ) |
| 증가하는 타입 | 관통 홀 | 공급자 소자 패키지 | PG-TO220-3 |
| 하이 라이트 | IPP65R110CFDA,고전력 n채널 모스펫,논리 레벨 n채널 모스펫 |
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제품 설명
홀 PG-TO220-3을 통한 IPP65R110CFDA 엔-채널 650 Ｖ 31.2A (Tc) 277.8W (Tc)
특징 :IPP65R110CFDA
| 범주 | 한 개의 페트스, 모스페트스 |
| 엠에프르 | 인피니언 테크놀러지 |
| 시리즈 | 자동차, AEC-Q101, 쿨모스 |
| 제품 상태 | 활동가 |
| FET은 타이핑합니다 | 엔-채널 |
| 기술 | MOSFET (금속 산화물) |
| 소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요 | 650 Ｖ |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25ツーC | 31.2A (Tc) |
| 구동 전압 (Rds를에 민 Rds에 최대한으로 씁니다) | 10V |
| Id, 브그스에 있는 (맥스) 위의 Rds | 12.7A, 10V에 있는 110mOhm |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스) | 1.3mA에 있는 4.5V |
| 게이트는 브그스에 (큐그에게) (맥스)를 청구합니다 | 10 Ｖ에 있는 118 nC |
| 브그스 (맥스) | ±20V |
| Vds에 있는 입력 커패시턴스 (CIS) (맥스) | 100 Ｖ에 있는 3240 pF |
| 전력 소모 (맥스) | 277.8W (Tc) |
| 작동 온도 | -40' C~ 150' Ｃ (TJ) |
| 증가하는 타입 | 관통 홀 |
| 공급자 소자 패키지 | PG-TO220-3 |
| 패키지 / 건 | TO-220-3 |
| 베이스 상품 다수 | IPP65R110 |
추가 자원
| 특성 | 기술 |
| 이명 | IPP65R110CFDAAKSA1-ND |
| 448-IPP65R110CFDAAKSA1 | |
| SP000895234 | |
| 표준 패키지 | 50 |
|
±
|
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