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담당자 : will
전화 번호 : 13418952874

IPP65R110CFDA 다이오드·트랜지스터와 사이리스터 엔-채널 650 V 31.2A Tc 277.8W Tc PG-TO220-3

원래 장소 미국
브랜드 이름 Infineon Technologies
인증 RoHS
모델 번호 BUF420AW
최소 주문 수량 50 PC
가격 Negotiable
포장 세부 사항 50 PC / 튜브
배달 시간 2-3 일
지불 조건 L/C (신용장), 인수 인도, D/P (지급도 조건), 전신환
공급 능력 6K PC

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제품 상세 정보
범주 한 개의 페트스, 모스페트스 엠에프르 인피니언 테크놀러지
시리즈 자동차, AEC-Q101, 쿨모스트텀 제품 상태 활동가
FET은 타이핑합니다 엔-채널 기술 MOSFET (금속 산화물)
소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요 650 V 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 31.2A (Tc)
구동 전압 (Rds를에 민 Rds에 최대한으로 씁니다) 10V Id, 브그스에 있는 (맥스) 위의 Rds 12.7A, 10V에 있는 110mOhm
Id에 있는 Vgs(th) (맥스) 1.3mA에 있는 4.5V 게이트는 브그스에 (큐그에게) (맥스)를 청구합니다 10 V에 있는 118 nC
브그스 (맥스) ±20V Vds에 있는 입력 커패시턴스 (CIS) (맥스) 100 V에 있는 3240 pF
전력 소모 (맥스) 277.8W (Tc) 작동 온도 -40' C ~ 150' C (TJ)
증가하는 타입 관통 홀 공급자 소자 패키지 PG-TO220-3
패키지 / 건 TO-220-3 베이스 상품 다수 IPP65R110
하이 라이트

다이오드 650 V 31.2A Tc 277.8W IPP65R110CFDA

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다이오드 650 V 31.2A 277.8W IPP65R110CFDA

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다이오드 650 V 277.8W IPP65R110CFDA

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제품 설명

홀 PG-TO220-3을 통한 IPP65R110CFDA 엔-채널 650 V 31.2A (Tc) 277.8W (Tc)

 

특징 :

범주 한 개의 페트스, 모스페트스
엠에프르 인피니언 테크놀러지
시리즈 자동차, AEC-Q101, 쿨모스
제품 상태 활동가
FET은 타이핑합니다 엔-채널
기술 MOSFET (금속 산화물)
소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요 650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25ツーC 31.2A (Tc)
구동 전압 (Rds를에 민 Rds에 최대한으로 씁니다) 10V
Id, 브그스에 있는 (맥스) 위의 Rds 12.7A, 10V에 있는 110mOhm
Id에 있는 Vgs(th) (맥스) 1.3mA에 있는 4.5V
게이트는 브그스에 (큐그에게) (맥스)를 청구합니다 10 V에 있는 118 nC
브그스 (맥스) ±20V
Vds에 있는 입력 커패시턴스 (CIS) (맥스) 100 V에 있는 3240 pF
전력 소모 (맥스) 277.8W (Tc)
작동 온도 -40' C ~ 150' (TJ)
증가하는 타입 관통 홀
공급자 소자 패키지 PG-TO220-3
패키지 / 건 TO-220-3
베이스 상품 다수 IPP65R110

추가 자원

특성 기술
이명 IPP65R110CFDAAKSA1-ND
  448-IPP65R110CFDAAKSA1
  SP000895234
표준 패키지 50

 
데이터 사진 :https://www.infineon.com/dgdl/infineon-ipx65r110cfda-ds-v02_00-en.pdf?fileid=d b3a304336797ff90136ba7c820925a5
 
 
 
IPP65R110CFDA 다이오드·트랜지스터와 사이리스터 엔-채널 650 V 31.2A Tc 277.8W Tc PG-TO220-3 0IPP65R110CFDA 다이오드·트랜지스터와 사이리스터 엔-채널 650 V 31.2A Tc 277.8W Tc PG-TO220-3 1IPP65R110CFDA 다이오드·트랜지스터와 사이리스터 엔-채널 650 V 31.2A Tc 277.8W Tc PG-TO220-3 2
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

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