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담당자 :
will
전화 번호 :
13418952874
IRF7480MTRPBF 저항기 다이오드·트랜지스터 엔-채널 40V 217A C 96W Tc 디렉트페트 등척성 나

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x제품 상세 정보
범주 | 한 개의 페트스, 모스페트스 | 엠에프르 | 인피니언 테크놀러지 |
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시리즈 | HEXFET®, 스트롱르펫텀 | FET은 타이핑합니다 | 엔-채널 |
기술 | MOSFET (금속 산화물) | 소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요 | 40 V |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 217A (Tc) | 구동 전압 (Rds를에 민 Rds에 최대한으로 씁니다) | 6V, 10V |
Id, 브그스에 있는 (맥스) 위의 Rds | 132A, 10V에 있는 1.2mOhm | Id에 있는 Vgs(th) (맥스) | 150uA에 있는 3.9V |
게이트는 브그스에 (큐그에게) (맥스)를 청구합니다 | 10 V에 있는 185 nC | 브그스 (맥스) | ±20V |
Vds에 있는 입력 커패시턴스 (CIS) (맥스) | 25 V에 있는 6680 pF | 전력 소모 (맥스) | 96W (Tc) |
작동 온도 | -55' C ~ 150' C (TJ) | 증가하는 타입 | 표면 부착 |
공급자 소자 패키지 | 디렉트펫텀 등척성 나 | ||
하이 라이트 | 40V 217A C 96W Tc DirectFET 아이소메트릭 IRF7480MTRPBF,40V C 96W Tc DirectFET 아이소메트릭 IRF7480MTRPBF,IRF7480MTRPBF 40V C 96W Tc DirectFET 아이소메트릭 |
제품 설명
IRF7480MTRPBF N채널 40V 217A(Tc) 96W(Tc) 표면 실장 DirectFET™ 아이소메트릭 ME
특징:
범주 | 단일 FET, MOSFET |
제조업체 | 인피니언 테크놀로지스 |
FET 유형 | N채널 |
기술 | MOSFET(금속 산화물) |
드레인-소스 전압(Vdss) | 40V |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25ツーC | 217A(시) |
드라이브 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) | 6V, 10V |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.2m옴 @ 132A, 10V |
Vgs(일)(최대) @ Id | 3.9V @ 150μㅏ |
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs | 185nC @ 10V |
Vgs(최대) | ±20V |
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | 6680pF @ 25V |
전력 손실(최대) | 96W(시) |
작동 온도 | -55°C~ 150°C(티제이) |
장착 유형 | 표면 실장 |
공급자 장치 패키지 | DirectFET 아이소메트릭 ME |
기본 제품 번호 | IRF7480 |
추가 리소스
기인하다 | 설명 |
다른 이름들 | IRF7480MTRPBFCT |
IRF7480MTRPBF-ND | |
IRF7480MTRPBFTR | |
SP001566252 | |
IRF7480MTRPBFDKR | |
표준 패키지 | 4800 |
데이터 그림:https://www.infineon.com/dgdl/irf7480m.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ff8fa41c30
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