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담당자 : will
전화 번호 : 13418952874

IRF7480MTRPBF 저항기 다이오드·트랜지스터 엔-채널 40V 217A C 96W Tc 디렉트페트 등척성 나

원래 장소 미국
브랜드 이름 Infineon Technologies
인증 RoHS
모델 번호 IRF7480MTRPBF
최소 주문 수량 4800 PC
가격 Negotiable
포장 세부 사항 4800PCS/Tube
배달 시간 2-3 일
지불 조건 L/C (신용장), 인수 인도, D/P (지급도 조건), 전신환
공급 능력 45K PC

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제품 상세 정보
범주 한 개의 페트스, 모스페트스 엠에프르 인피니언 테크놀러지
시리즈 HEXFET®, 스트롱르펫텀 FET은 타이핑합니다 엔-채널
기술 MOSFET (금속 산화물) 소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요 40 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 217A (Tc) 구동 전압 (Rds를에 민 Rds에 최대한으로 씁니다) 6V, 10V
Id, 브그스에 있는 (맥스) 위의 Rds 132A, 10V에 있는 1.2mOhm Id에 있는 Vgs(th) (맥스) 150uA에 있는 3.9V
게이트는 브그스에 (큐그에게) (맥스)를 청구합니다 10 V에 있는 185 nC 브그스 (맥스) ±20V
Vds에 있는 입력 커패시턴스 (CIS) (맥스) 25 V에 있는 6680 pF 전력 소모 (맥스) 96W (Tc)
작동 온도 -55' C ~ 150' C (TJ) 증가하는 타입 표면 부착
공급자 소자 패키지 디렉트펫텀 등척성 나
하이 라이트

40V 217A C 96W Tc DirectFET 아이소메트릭 IRF7480MTRPBF

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40V C 96W Tc DirectFET 아이소메트릭 IRF7480MTRPBF

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IRF7480MTRPBF 40V C 96W Tc DirectFET 아이소메트릭

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제품 설명

IRF7480MTRPBF N채널 40V 217A(Tc) 96W(Tc) 표면 실장 DirectFET™ 아이소메트릭 ME

 

특징:

범주 단일 FET, MOSFET
제조업체 인피니언 테크놀로지스
FET 유형 N채널
기술 MOSFET(금속 산화물)
드레인-소스 전압(Vdss) 40V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25ツーC 217A(시)
드라이브 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) 6V, 10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs 1.2m옴 @ 132A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id 3.9V @ 150μ
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 185nC @ 10V
Vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds 6680pF @ 25V
전력 손실(최대) 96W(시)
작동 온도 -55°C~ 150°C(티제이)
장착 유형 표면 실장
공급자 장치 패키지 DirectFET 아이소메트릭 ME
기본 제품 번호 IRF7480

추가 리소스

기인하다 설명
다른 이름들 IRF7480MTRPBFCT
  IRF7480MTRPBF-ND
  IRF7480MTRPBFTR
  SP001566252
  IRF7480MTRPBFDKR
표준 패키지 4800

 

데이터 그림:https://www.infineon.com/dgdl/irf7480m.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ff8fa41c30

 

 

 

 

IRF7480MTRPBF 저항기 다이오드·트랜지스터 엔-채널 40V 217A C 96W Tc  디렉트페트 등척성 나 0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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