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담당자 :
will
전화 번호 :
13418952874
FGD3N60UNDF 이산 반도체 품목 IGBT NPT 600V 6 60W 표면이 TO-252AA를 탑재합니다
| 원래 장소 | 미국 |
|---|---|
| 브랜드 이름 | onsemi |
| 인증 | RoHS |
| 모델 번호 | FGD3N60UNDF |
| 최소 주문 수량 | 2500 PC |
| 가격 | Negotiable |
| 포장 세부 사항 | 2500PCS/Tape |
| 배달 시간 | 2-3 일 |
| 지불 조건 | L/C (신용장), 인수 인도, D/P (지급도 조건), 전신환 |
| 공급 능력 | 2.5K PC |
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x제품 상세 정보
| 제조사 | 온새미 | 범주 | 한 개의 이그브츠 |
|---|---|---|---|
| 상품 번호 | FGD3N60UNDF | IGBT 유형 | NPT |
| 전압 - 수집기 방출기 고장 (맥스) | 600 Ｖ | 경향 - 수집기 (Ic) (맥스) | 6A |
| 경향 - 수집기 펄스용 (Icm) | 9A | 프게, Ic에 있는 (맥스) (의) 프스 | 15V, 3A에 있는 2.52V |
| 전원 - 맥스 | 60W | 절환 에너지 | 52uJ (계속), (떨어져서 30uJ) |
| 입력 유형 | 표준 | 게이트전하 | 1.6 nC |
| 25' Ｃ에 있는 Td (on/off) | 5.5 ns/22ns | 시험 조건 | 400V, 3A, 10Ohm, 15V |
| 역회복 시간 (트르) | 21 나노 초 | 작동 온도 | -55' Ｃ ~ 150' Ｃ (TJ) |
| 증가하는 타입 | 표면 부착 | 패키지 / 건 | TO-252-3, 드팩 (2개 리드 + 탭), SC-63 |
| 공급자 소자 패키지 | TO-252AA | ||
| 하이 라이트 | FGD3N60UNDF,분리된 반도체 제품,다이오드와 트랜지스터 |
||
제품 설명
FGD3N60UNDF IGBT NPT 600 Ｖ 6 60 Ｗ가 TO-252AA 탑재를 포장합니다
데이터 시트 :FGD3N60UNDF
| 범주 | 한 개의 이그브츠 |
| 엠에프르 | 온새미 |
| 제품 상태 | 퇴역항공기 |
| IGBT는 타이핑합니다 | NPT |
| 전압 - 수집기 방출기 고장 (맥스) | 600 Ｖ |
| 경향 - 수집기 (Ic) (맥스) | 6 A |
| 경향 - 수집기 펄스용 (Icm) | 9 A |
| 프게, Ic에 있는 (맥스) (의) 프스 | 15V, 3A에 있는 2.52V |
| 전원 - 맥스 | 60 Ｗ |
| 절환 에너지 | 52uJ (계속), (떨어져서 30uJ) |
| 입력 유형 | 표준 |
| 게이트전하 | 1.6 nC |
| 25' Ｃ에 있는 Td (on/off) | 5.5 ns/22ns |
| 시험 조건 | 400V, 3A, 10Ohm, 15V |
| 역회복 시간 (트르) | 21 나노 초 |
| 작동 온도 | -55' Ｃ ~ 150' Ｃ (TJ) |
| 증가하는 타입 | 표면 부착 |
| 패키지 / 건 | TO-252-3, 드팩 (2개 리드 + 탭), SC-63 |
| 공급자 소자 패키지 | TO-252AA |
| 베이스 상품 다수 | FGD3N60 |
추가 자원
| 특성 | 기술 |
| 이명 | FGD3N60UNDFCT |
| FGD3N60UNDFTR | |
| FGD3N60UNDFDKR | |
| 표준 패키지 | 2500 |
데이터 사진 :https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/fgd3n60undf-d.pdf
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