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담당자 : will
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ATP114-TL-H 다이오드·트랜지스터 P-채널 Mosfet 60 V 55A Ta 60W Tc 표면 부착 ATPAK

원래 장소 미국
브랜드 이름 onsemi
인증 RoHS
모델 번호 ATP114-TL-H
최소 주문 수량 1000 PC
가격 Negotiable
포장 세부 사항 1000 PC / 튜브
배달 시간 2-3 일
지불 조건 L/C (신용장), 인수 인도, D/P (지급도 조건), 전신환
공급 능력 3K PC

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제품 상세 정보
범주 한 개의 페트스, 모스페트스 엠에프르 온새미
FET은 타이핑합니다 P-채널 기술 MOSFET (금속 산화물)
소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요 60 V 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 55A (Ta)
구동 전압 (Rds를에 민 Rds에 최대한으로 씁니다) 4V, 10V Id, 브그스에 있는 (맥스) 위의 Rds 28A, 10V에 있는 16mOhm
게이트는 브그스에 (큐그에게) (맥스)를 청구합니다 10 V에 있는 92 nC 브그스 (맥스) ±20V
Vds에 있는 입력 커패시턴스 (CIS) (맥스) 20 V에 있는 4000 pF 전력 소모 (맥스) 60W (Tc)
작동 온도 150' C (TJ) 증가하는 타입 표면 부착
공급자 소자 패키지 ATPAK 패키지 / 건 ATPAK (2 Leads+Tab)
하이 라이트

P채널 MOSFET 60V 55A Ta 60W Tc ATP114-TL-H

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P채널 MOSFET 60V Ta 60W Tc ATP114-TL-H

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P채널 MOSFET 60V Ta 60W ATP114-TL-H

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제품 설명

ATP114-TL-H P 채널 60V 55A(Ta) 60W(Tc) 표면 실장 ATPAK

 

특징:ATP114-TL-H

범주 단일 FET, MOSFET
제조업체 온세미
FET 유형 P채널
기술 MOSFET(금속 산화물)
드레인-소스 전압(Vdss) 60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25° 55A(타)
드라이브 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) 4V, 10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs 16m옴 @ 28A, 10V
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 92nC @ 10V
Vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds 4000pF @ 20V
전력 손실(최대) 60W(시)
작동 온도 150°씨(티제이)
장착 유형 표면 실장
공급자 장치 패키지 ATPAK
패키지/케이스 ATPAK(리드 2개+탭)
기본 제품 번호 ATP114

추가 리소스

기인하다 설명
다른 이름들 ATP114-TL-HOSDKR
  ATP114-TL-호스트르
  ATP114-TL-H-ND
  ATP114-TL-HOSCT
표준 패키지 3000

 

데이터 그림:https://www.mouser.cn/datasheet/2/308/1/ATP114_D-2310176.pdf

 

ATP114-TL-H  다이오드·트랜지스터  P-채널 Mosfet 60 V 55A  Ta  60W  Tc 표면 부착 ATPAK 0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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