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will
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ATP114-TL-H 다이오드·트랜지스터 P-채널 Mosfet 60 V 55A Ta 60W Tc 표면 부착 ATPAK

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x제품 상세 정보
범주 | 한 개의 페트스, 모스페트스 | 엠에프르 | 온새미 |
---|---|---|---|
FET은 타이핑합니다 | P-채널 | 기술 | MOSFET (금속 산화물) |
소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요 | 60 V | 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 55A (Ta) |
구동 전압 (Rds를에 민 Rds에 최대한으로 씁니다) | 4V, 10V | Id, 브그스에 있는 (맥스) 위의 Rds | 28A, 10V에 있는 16mOhm |
게이트는 브그스에 (큐그에게) (맥스)를 청구합니다 | 10 V에 있는 92 nC | 브그스 (맥스) | ±20V |
Vds에 있는 입력 커패시턴스 (CIS) (맥스) | 20 V에 있는 4000 pF | 전력 소모 (맥스) | 60W (Tc) |
작동 온도 | 150' C (TJ) | 증가하는 타입 | 표면 부착 |
공급자 소자 패키지 | ATPAK | 패키지 / 건 | ATPAK (2 Leads+Tab) |
하이 라이트 | P채널 MOSFET 60V 55A Ta 60W Tc ATP114-TL-H,P채널 MOSFET 60V Ta 60W Tc ATP114-TL-H,P채널 MOSFET 60V Ta 60W ATP114-TL-H |
제품 설명
ATP114-TL-H P 채널 60V 55A(Ta) 60W(Tc) 표면 실장 ATPAK
특징:ATP114-TL-H
범주 | 단일 FET, MOSFET |
제조업체 | 온세미 |
FET 유형 | P채널 |
기술 | MOSFET(금속 산화물) |
드레인-소스 전압(Vdss) | 60V |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°씨 | 55A(타) |
드라이브 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) | 4V, 10V |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 16m옴 @ 28A, 10V |
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs | 92nC @ 10V |
Vgs(최대) | ±20V |
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | 4000pF @ 20V |
전력 손실(최대) | 60W(시) |
작동 온도 | 150°씨(티제이) |
장착 유형 | 표면 실장 |
공급자 장치 패키지 | ATPAK |
패키지/케이스 | ATPAK(리드 2개+탭) |
기본 제품 번호 | ATP114 |
추가 리소스
기인하다 | 설명 |
다른 이름들 | ATP114-TL-HOSDKR |
ATP114-TL-호스트르 | |
ATP114-TL-H-ND | |
ATP114-TL-HOSCT | |
표준 패키지 | 3000 |
데이터 그림:https://www.mouser.cn/datasheet/2/308/1/ATP114_D-2310176.pdf
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