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담당자 : will
전화 번호 : 13418952874

홀 TO-220AB을 통한 IRFB7434PBF 엔 채널 MOSFET Ic 40 V 195A Tc 294W Tc

원래 장소 미국
브랜드 이름 Infineon Technologies
인증 RoHS
모델 번호 IRFB7434PBF
최소 주문 수량 50 PC
가격 Negotiable
포장 세부 사항 50 PC / 튜브
배달 시간 2-3 일
지불 조건 L/C (신용장), 인수 인도, D/P (지급도 조건), 전신환
공급 능력 20K PC

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제품 상세 정보
범주 한 개의 페트스, 모스페트스 엠에프르 인피니언 테크놀러지
시리즈 HEXFET®, 스트롱르펫텀 제품 상태 활동가
FET은 타이핑합니다 엔-채널 기술 MOSFET (금속 산화물)
소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요 40V 경향 - 25' C에 있는 연속배수 (Id) 195A (Tc)
구동 전압 (Rds를에 민 Rds에 최대한으로 씁니다) 6V, 10V Id, 브그스에 있는 (맥스) 위의 Rds 100A, 10V에 있는 1.6mOhm
Id에 있는 Vgs(th) (맥스) 250uA에 있는 3.9V 게이트는 브그스에 (큐그에게) (맥스)를 청구합니다 10 V에 있는 324 nC
브그스 (맥스) ±20V Vds에 있는 입력 커패시턴스 (CIS) (맥스) 25 V에 있는 10820 pF
전력 소모 (맥스) 294W (Tc) 작동 온도 -55' C ~ 175' C (TJ)
증가하는 타입 관통 홀 공급자 소자 패키지 TO-220AB
하이 라이트

모스펫 n채널 논리 레벨

,

n채널 MOSFET IC

,

220 ab 모스펫에

메시지를 남겨주세요
제품 설명

홀 TO-220AB을 통한 IRFB7434PBF 엔-채널 40 V 195A (Tc) 294W (Tc)

 

특징 :

범주 한 개의 페트스, 모스페트스
엠에프르 인피니언 테크놀러지
제품 상태 활동가
FET은 타이핑합니다 엔-채널
기술 MOSFET (금속 산화물)
소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요 40 V
경향 - 25' C에 있는 연속배수 (Id) 195A (Tc)
구동 전압 (Rds를에 민 Rds에 최대한으로 씁니다) 6V, 10V
Id, 브그스에 있는 (맥스) 위의 Rds 100A, 10V에 있는 1.6mOhm
Id에 있는 Vgs(th) (맥스) 250uA에 있는 3.9V
게이트는 브그스에 (큐그에게) (맥스)를 청구합니다 10 V에 있는 324 nC
브그스 (맥스) ±20V
Vds에 있는 입력 커패시턴스 (CIS) (맥스) 25 V에 있는 10820 pF
전력 소모 (맥스) 294W (Tc)
작동 온도 -55' C ~ 175' (TJ)
증가하는 타입 관통 홀
공급자 소자 패키지 TO-220AB
패키지 / 건 TO-220-3

추가 자원

특성 기술
이명 SP001575514
  2156-IRFB7434PBF
  IFEINFIRFB7434PBF
표준 패키지 50

데이터 사진 :https://www.infineon.com/dgdl/irfb7434pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535616a 43e1e55

 

 

 

홀 TO-220AB을 통한 IRFB7434PBF 엔 채널 MOSFET Ic 40 V 195A Tc 294W Tc 0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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