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담당자 :
will
전화 번호 :
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홀 TO-220AB을 통한 IRFB7434PBF 엔 채널 MOSFET Ic 40 V 195A Tc 294W Tc

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x제품 상세 정보
범주 | 한 개의 페트스, 모스페트스 | 엠에프르 | 인피니언 테크놀러지 |
---|---|---|---|
시리즈 | HEXFET®, 스트롱르펫텀 | 제품 상태 | 활동가 |
FET은 타이핑합니다 | 엔-채널 | 기술 | MOSFET (금속 산화물) |
소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요 | 40V | 경향 - 25' C에 있는 연속배수 (Id) | 195A (Tc) |
구동 전압 (Rds를에 민 Rds에 최대한으로 씁니다) | 6V, 10V | Id, 브그스에 있는 (맥스) 위의 Rds | 100A, 10V에 있는 1.6mOhm |
Id에 있는 Vgs(th) (맥스) | 250uA에 있는 3.9V | 게이트는 브그스에 (큐그에게) (맥스)를 청구합니다 | 10 V에 있는 324 nC |
브그스 (맥스) | ±20V | Vds에 있는 입력 커패시턴스 (CIS) (맥스) | 25 V에 있는 10820 pF |
전력 소모 (맥스) | 294W (Tc) | 작동 온도 | -55' C ~ 175' C (TJ) |
증가하는 타입 | 관통 홀 | 공급자 소자 패키지 | TO-220AB |
하이 라이트 | 모스펫 n채널 논리 레벨,n채널 MOSFET IC,220 ab 모스펫에 |
제품 설명
홀 TO-220AB을 통한 IRFB7434PBF 엔-채널 40 V 195A (Tc) 294W (Tc)
특징 :
범주 | 한 개의 페트스, 모스페트스 |
엠에프르 | 인피니언 테크놀러지 |
제품 상태 | 활동가 |
FET은 타이핑합니다 | 엔-채널 |
기술 | MOSFET (금속 산화물) |
소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요 | 40 V |
경향 - 25' C에 있는 연속배수 (Id) | 195A (Tc) |
구동 전압 (Rds를에 민 Rds에 최대한으로 씁니다) | 6V, 10V |
Id, 브그스에 있는 (맥스) 위의 Rds | 100A, 10V에 있는 1.6mOhm |
Id에 있는 Vgs(th) (맥스) | 250uA에 있는 3.9V |
게이트는 브그스에 (큐그에게) (맥스)를 청구합니다 | 10 V에 있는 324 nC |
브그스 (맥스) | ±20V |
Vds에 있는 입력 커패시턴스 (CIS) (맥스) | 25 V에 있는 10820 pF |
전력 소모 (맥스) | 294W (Tc) |
작동 온도 | -55' C ~ 175' C (TJ) |
증가하는 타입 | 관통 홀 |
공급자 소자 패키지 | TO-220AB |
패키지 / 건 | TO-220-3 |
추가 자원
특성 | 기술 |
이명 | SP001575514 |
2156-IRFB7434PBF | |
IFEINFIRFB7434PBF | |
표준 패키지 | 50 |
데이터 사진 :https://www.infineon.com/dgdl/irfb7434pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535616a 43e1e55
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