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담당자 : will
전화 번호 : 13418952874

TC58BVG0S3HTA00 낸드 플래시 메모리 IC 칩 SLC 1Gbit 대비 25 Ns 48-tsop

원래 장소 미국
브랜드 이름 KIOXIA
인증 RoHS
모델 번호 TC58BVG0S3HTA00
최소 주문 수량 96 PC
가격 Negotiable
포장 세부 사항 96 PC / 트레이
배달 시간 2-3 일
지불 조건 L/C (신용장), 인수 인도, D/P (지급도 조건), 전신환
공급 능력 6K PC

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제품 상세 정보
범주 메모리 엠에프르 키옥사이아 미국, Inc.
시리즈 베나트텀 패키지 트레이
기억 영역형 비휘발성입니다 메모리 포맷 플래시
기술 플래시 - NAND 메모리 용량 1Gbit
메모리구성 128M X 8 기억기접합 대비
전압 - 공급 2.7V ~ 3.6V 작동 온도 0' C ~ 70' C (TA)
하이 라이트

TC58BVG0S3HTA00

,

낸드 메모리용 IC

,

낸드 플래쉬 ic

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제품 설명

TC58BVG0S3HTA00 플래시 - NAND (SLC) 메모리용 IC 1Gbit 대비 25 Ns 48-tsop

기술 :

TC58BVG0S3HTA00은 양쪽 주소를 위해 I/O 핀을 이용하는 직렬 형태 메모리 장치입니다고

명령 입력에 대해서 뿐만 아니라 자료 입출력. 삭제와 프로그램 동작은 자동적으로 실행됩니다,

장치를 가장 고체 상태 파일 스토리지, 음성 녹음, 이미지 파일 메모리와 같은 앱에 적합하게 하기

고밀도 비휘활성 메모리 데이터 스토리지를 요구하는 스틸 카메라와 타 시스템을 위해.

 

빠른 세부 사항 :

제조사
키옥사이아 미국, Inc.
제조 상품 번호
TC58BVG0S3HTA00
기술
IC 순간 1GBIT은 48TSOP 나를 평행시킵니다
상세한 설명
플래시 - NAND (SLC) 메모리용 IC 1Gbit 대비 25 나노 초 48 TSOP I

 

제품 속성 :

타입
기술
범주
메모리
엠에프르
키옥사이아 미국, Inc.
시리즈
베나트텀
패키지
트레이
제품 상태
활동가
기억 영역형
비휘발성입니다
메모리 포맷
플래시
기술
플래시 - NAND (SLC)
메모리 용량
1Gbit
메모리구성
128M X 8
기억기접합
대비
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다
25 나노 초
엑세스 시간
25 나노 초
전압 - 공급
2.7V ~ 3.6V
작동 온도
0' C ~ 70' C (TA)
증가하는 타입
표면 부착
패키지 / 건
48 TFSOP (0.724 ", 18.40 밀리미터 폭)
공급자 소자 패키지
48-TSOP I
베이스 상품 다수
TC58BVG0

 

추가 자원 :

특성 기술
이명
TC58BVG0S3HTA00B4H
TC58BVG0S3HTA00YCL
TC58BVG0S3HTA00Y0J
TC58BVG0S3HTA00YCJ
표준 패키지 96

 

데이터 사진 :

TC58BVG0S3HTA00 낸드 플래시 메모리 IC 칩 SLC 1Gbit 대비 25 Ns 48-tsop 0