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담당자 :
will
전화 번호 :
13418952874
TC58NVG1S3HTA00 TSOP48 병렬형 플래시 메모리 IC 칩 NAND SLC 2Gbit 25 Ns
| 원래 장소 | 일본 |
|---|---|
| 브랜드 이름 | KIOXIA |
| 인증 | RoHS |
| 모델 번호 | TC58NVG1S3HTA00 |
| 최소 주문 수량 | 96 PC |
| 가격 | Negotiable |
| 포장 세부 사항 | 96 PC / 트레이 |
| 배달 시간 | 2-3 일 |
| 지불 조건 | L/C (신용장), 인수 인도, D/P (지급도 조건), 전신환 |
| 공급 능력 | 9K PC |
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x제품 상세 정보
| 상품 번호 | TC58NVG1S3HTA00 | 범주 | 메모리 |
|---|---|---|---|
| 패키지 | 트레이 | 제조사 | KIOXIA |
| 기억 영역형 | 비휘발성입니다 | 메모리 포맷 | 플래시 |
| 메모리 용량 | 2Gbit | 메모리구성 | 256M x 8 |
| 인터페이스 타입 | 대비 | 엑세스 시간 | 25ns |
| 작동 온도 | 0C~70C | 공급 전압 범위 | 2.7V~3.6V |
| 하이 라이트 | TC58NVG1S3HTA00,TC58NVG1S3HTA00 TSOP48,병렬형 플래시 메모리 ic |
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제품 설명
TC58NVG1S3HTA00 플래시 - NAND (SLC) 메모리용 IC 2Gbit 대비 25 Ns 48-TSOP I
데이터 시트 :TC58NVG1S3HTA00.pdf
플래시 - NAND (SLC) 메모리용 IC 2Gbit 대비 25 나노 초 48 TSOP I
특징 :
● 조직
메모리 셀 어레이 2176*128K*8
등록 2176*8
페이지 크기 2176 바이트
블록 크기 128K+8K 바이트
● 방식
읽기, 리셋, 자동차 페이지 프로그램, 자동차 블록은, 지위가 읽었건데, 페이지 복사를 없앱니다,
다중 페이지 프로그램, 멀티 블럭이 쉽게 지워집니다, 다중 페이지가 복사한다고 다중 페이지가 읽었습니다
● 모드 제어
일련 입출력
지령 제어
유효 블록의 ● 수
민 2008 블록
맥스 2048 블록
● 전원 공급기
VCC =2.7V 내지 3.6V
● 엑세스 시간
25 우리를 등록하기 위한 셀 어레이는 한계에 이릅니다
순환 주기 25 나노 초 분 (CL=50pF)를 읽으세요
● 프로그램 /는 시간을 없앱니다
자동차 페이지 프로그램 300 우리 /가 typ에 안내방송을 합니다
자동차 블록은 2.5 부인 / 블록 typ를 없앱니다
● 동작 전류
(25가지 나노 초 사이클) 30 마 최대를 읽으세요
(평균의.) 프로그램을 짜세요 30 마 최대
(평균을.) 없애세요 30 마 최대
대기 50 uA 최대
● 패키지
TSOP I 48-P-1220-0.50 (중량 : 0.53 Ｇ typ.)
●8 각각 512Byte를 위한 비트 ECC는 요구됩니다
기술 :
TC58NVG1S3HTA00은 NAND 전기적으로 지울 수 있는 한 개의 3.3V 2Gbit (2,281,701,376개 비트) 입니다고
프로그램형 롬 (NAND E2PROM)는 (2048년 + 128) 바이트 *64 페이지 *2048 블록으로서 조직했습니다.
기기는 프로그램과 읽은 데이터가 더 사이에 이동될 수 있게 허락하는 2 바이트 정지 레지스터를 가지고 있습니다
등록과 2176 바이트 증가량에서 메모리 셀 어레이. 소거 동작은 단식도르래에서 구현됩니다
유닛 (128 킬로바이트 + 8 킬로바이트 : 2176 바이트 * 64 페이지).
TC58NVG1S3HTA00은 양쪽 주소와 데이터를 위해 I/O 핀을 이용하는 직렬 형태 메모리 장치입니다
명령 입력에 대해서 뿐만 아니라 입출력. 자동적으로 하면서, 삭제와 프로그램 동작은 실행됩니다
고체 상태 파일 스토리지, 음성 녹음과 같은 가장 앱에 적합한 장치가 여전히 파일 메모리를 상상합니다
고밀도 비휘활성 메모리 데이터 스토리지를 요구하는 카메라와 타 시스템.
빠른 세부 사항 :
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제조사
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키옥사이아 미국, Inc.
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제조 상품 번호
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TC58NVG1S3HTA00
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기술
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IC 순간 2GBIT은 48TSOP 나를 평행시킵니다
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상세한 설명
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플래시 - NAND (SLC) 메모리용 IC 2Gbit 대비 25 나노 초 48 TSOP I
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제품 속성 :
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타입
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기술
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| 범주 |
메모리
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엠에프르
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키옥사이아 미국, Inc.
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패키지
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트레이
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제품 상태
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활동가
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기억 영역형
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비휘발성입니다
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메모리 포맷
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플래시
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기술
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플래시 - NAND (SLC)
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메모리 용량
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2Gbit
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메모리구성
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256M Ｘ 8
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기억기접합
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대비
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페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다
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25 나노 초
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엑세스 시간
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25 나노 초
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전압 - 공급
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2.7V ~ 3.6V
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작동 온도
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0' Ｃ ~ 70' Ｃ (TA)
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증가하는 타입
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표면 부착
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패키지 / 건
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48 TFSOP (0.724 ", 18.40 밀리미터 폭)
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공급자 소자 패키지
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48-TSOP I
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베이스 상품 다수
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TC58NVG1
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추가 자원 :
| 특성 | 기술 |
| 이명 |
TC58NVG1S3HTA00YCL
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TC58NVG1S3HTA00Y0J
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TC58NVG1S3HTA00B4H
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TC58NVG1S3HTA00YCJ
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| 표준 패키지 | 96 |
데이터 사진 :
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