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AT28HC64BF-12SU 평행한 EEPROM 메모리 IC 칩 제조들 64Kbit 120 Ns 28-soic

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x범주 | 메모리 | 엠에프르 | 마이크로칩 테크놀로지 |
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패키지 | 튜브 | 기억 영역형 | 비휘발성입니다 |
메모리 포맷 | EEPROM | 기술 | EEPROM |
메모리 용량 | 64Kbit | 메모리구성 | 8K X 8 |
기억기접합 | 대비 | 엑세스 시간 | 120 나노 초 |
전압 - 공급 | 4.5V ~ 5.5V | 작동 온도 | -40' C ~ 85' C (TC) |
하이 라이트 | AT28HC64BF-12SU IC 64Kbit 28-soic,IC 64Kbit 28-soic AT28HC64BF-12SU,IC 28-soic 64Kbit AT28HC64BF-12SU |
AT28HC64BF-12SU EEPROM 메모리 IC 64Kbit 대비 120 Ns 28-soic
기술 :
AT28HC64BF는 고성능 전기적으로 삭제 가능하고 프로그램 가능한 읽기 전용 메모리 (EEPROM) 입니다.
기억 중 그것의 64K는 8비트까지 8,192마리의 말로 구성됩니다. 아트멜의 진보적 비휘발성 시모스에 의해 제조됩니다
기술, 공정한 220 mW의 전력 소모와 55 나노 초에 대한 장치 제안 엑세스 시간. 장치가 있을 때
선택해제되어 CMOS 대기 전류는 100 uA 이하입니다.
빠른 세부 사항 :
제조사
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마이크로칩 테크놀로지
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제조 상품 번호
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AT28HC64BF-12SU
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제조 표준 생산 소요 시간
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52 주
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상세한 설명
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EEPROM 메모리용 IC 64Kbit 대비 120 나노 초 28 SOIC
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제품 속성 :
타입
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기술
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범주
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메모리
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엠에프르
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마이크로칩 테크놀로지
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패키지
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튜브
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제품 상태
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활동가
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기억 영역형
|
비휘발성입니다
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메모리 포맷
|
EEPROM
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기술
|
EEPROM
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메모리 용량
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64Kbit
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메모리구성
|
8K X 8
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기억기접합
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대비
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페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다
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10명의 부인
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엑세스 시간
|
120 나노 초
|
전압 - 공급
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4.5V ~ 5.5V
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작동 온도
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-40' C ~ 85' C (TC)
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증가하는 타입
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표면 부착
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패키지 / 건
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28 SOIC (0.295 ", 7.50 밀리미터 폭)
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공급자 소자 패키지
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28-soic
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베이스 상품 다수
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AT28HC64
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추가 자원 :
특성 | 기술 |
이명 | AT28HC64BF12SU |
표준 패키지 | 27 |
특징
오우는 리드 억세스 타임 단식합니다 - 70 나노 초
오우 자동 페이지 쓰기 작동 - 내부 주소와 64 바이트 동안 데이터 래치
오우는 쓰기 주기 시간 단식합니다
- 페이지 쓰기 주기 시간 : 2가지 부인 최대 (표준)
- 1 64 바이트 페이지 쓰기 작동에
오우 저출력 소실
- 40개 마 유효 전류
- 100 uA CMOS 대기 전류
오우 하드웨어와 소프트웨어 데이터 보호
기입 탐지 끝을 위한 오우 데이터 폴링과 토글 비트
오우 높은 신뢰도 CMOS 기술
- 내구성 : 100,000이지 사이클
- 데이터 유지 : 10년
오우 단일 5 V ±10% 공급
오우 CMOS와 TTL 호환 가능 입출력
오우 JEDEC 승인되 바이트-와이드 핀 배치
오우 산업용 온드범위
유일한 오우 그린 (Pb/Halide-free) 패키징
데이터 사진 :