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담당자 : will
전화 번호 : 13418952874

AT28HC64BF-12SU 평행한 EEPROM 메모리 IC 칩 제조들 64Kbit 120 Ns 28-soic

원래 장소 미국
브랜드 이름 MICROCHIP
인증 RoHS
모델 번호 AT28HC64BF-12SU
최소 주문 수량 27개
가격 Negotiable
포장 세부 사항 27 PC / 튜브
배달 시간 2-3 일
지불 조건 L/C (신용장), 인수 인도, D/P (지급도 조건), 전신환
공급 능력 6K PC

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제품 상세 정보
범주 메모리 엠에프르 마이크로칩 테크놀로지
패키지 튜브 기억 영역형 비휘발성입니다
메모리 포맷 EEPROM 기술 EEPROM
메모리 용량 64Kbit 메모리구성 8K X 8
기억기접합 대비 엑세스 시간 120 나노 초
전압 - 공급 4.5V ~ 5.5V 작동 온도 -40' C ~ 85' C (TC)
하이 라이트

AT28HC64BF-12SU IC 64Kbit 28-soic

,

IC 64Kbit 28-soic AT28HC64BF-12SU

,

IC 28-soic 64Kbit AT28HC64BF-12SU

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제품 설명

AT28HC64BF-12SU EEPROM 메모리 IC 64Kbit 대비 120 Ns 28-soic

기술 :

AT28HC64BF는 고성능 전기적으로 삭제 가능하고 프로그램 가능한 읽기 전용 메모리 (EEPROM) 입니다.

기억 중 그것의 64K는 8비트까지 8,192마리의 말로 구성됩니다. 아트멜의 진보적 비휘발성 시모스에 의해 제조됩니다

기술, 공정한 220 mW의 전력 소모와 55 나노 초에 대한 장치 제안 엑세스 시간. 장치가 있을 때

선택해제되어 CMOS 대기 전류는 100 uA 이하입니다.

 

빠른 세부 사항 :

제조사
마이크로칩 테크놀로지
제조 상품 번호
AT28HC64BF-12SU
제조 표준 생산 소요 시간
52 주
상세한 설명
EEPROM 메모리용 IC 64Kbit 대비 120 나노 초 28 SOIC

 

제품 속성 :

타입
기술
범주
메모리
엠에프르
마이크로칩 테크놀로지
패키지
튜브
제품 상태
활동가
기억 영역형
비휘발성입니다
메모리 포맷
EEPROM
기술
EEPROM
메모리 용량
64Kbit
메모리구성
8K X 8
기억기접합
대비
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다
10명의 부인
엑세스 시간
120 나노 초
전압 - 공급
4.5V ~ 5.5V
작동 온도
-40' C ~ 85' C (TC)
증가하는 타입
표면 부착
패키지 / 건
28 SOIC (0.295 ", 7.50 밀리미터 폭)
공급자 소자 패키지
28-soic
베이스 상품 다수
AT28HC64

 

추가 자원 :

특성 기술
이명 AT28HC64BF12SU
표준 패키지 27

 

특징

오우는 리드 억세스 타임 단식합니다 - 70 나노 초

오우 자동 페이지 쓰기 작동 - 내부 주소와 64 바이트 동안 데이터 래치

오우는 쓰기 주기 시간 단식합니다

- 페이지 쓰기 주기 시간 : 2가지 부인 최대 (표준)

- 1 64 바이트 페이지 쓰기 작동에

오우 저출력 소실

- 40개 마 유효 전류

- 100 uA CMOS 대기 전류

오우 하드웨어와 소프트웨어 데이터 보호

기입 탐지 끝을 위한 오우 데이터 폴링과 토글 비트

오우 높은 신뢰도 CMOS 기술

- 내구성 : 100,000이지 사이클

- 데이터 유지 : 10년

오우 단일 5 V ±10% 공급

오우 CMOS와 TTL 호환 가능 입출력

오우 JEDEC 승인되 바이트-와이드 핀 배치

오우 산업용 온드범위

유일한 오우 그린 (Pb/Halide-free) 패키징

데이터 사진 :

AT28HC64BF-12SU 평행한 EEPROM 메모리 IC 칩 제조들 64Kbit 120 Ns 28-soic 0