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AT25M01-SSHM-T 마이크로칩 EEPROM 메모리 칩 1.7-5.5V 20MHz Ind 임시 8 SOIC-N

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x범주 | 메모리 | 엠에프르 | 마이크로칩 테크놀로지 |
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패키지 | 테이프 & 릴 (TR)/Cut 테이프 (CT) | 기억 영역형 | 비휘발성입니다 |
메모리 포맷 | EEPROM | 기술 | EEPROM |
메모리 용량 | 1Mbit | 메모리구성 | 128K X 8 |
기억기접합 | SPI | 클럭 주파수 | 20 마하즈 |
전압 - 공급 | 1.7V ~ 5.5V | 작동 온도 | -40' C ~ 85' C (TA) |
하이 라이트 | at25m01 -스시텀 T 데이터 시트,AT25M01-SSHM-T 마이크로칩,eeprom 칩 |
AT25M01-SSHM-T EEPROM 1.7-5.5V, 20MHz, Ind 임시, 8 SOIC-N
기술 :
AT25M01은 전기적으로 지울 수 있고 프로그램 가능한 1,048,576개 약간의 연속물을 제공합니다 판독 전용입니다
기억 (EEPROM)는 각각 8비트의 131,072마리의 말로서 조직했습니다. 장치는 많은 것에 사용하기 위해 최적화됩니다
저동력과 저전압 작동이 필수적인 산업적이고 상업적 응용 분야. 더
기기는 공간 절약형 8 리드 SOIC, 8 리드 SOIJ와 8개 볼 WLCSP 패키지에 이용할 수 있습니다. 모든 패키지
1.7V에서부터 5.5V까지 작동하세요.
빠른 세부 사항 :
제조사
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마이크로칩 테크놀로지
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제조 상품 번호
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AT25M01-SSHM-T
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기술
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IC EEPROM 1MBIT SPI 20MHZ 8SOIC
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상세한 설명
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EEPROM 메모리용 IC 1Mbit SPI 20 마하즈 8-soic
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제품 속성 :
타입
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기술
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범주
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메모리
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제품 상태
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활동가
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기억 영역형
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비휘발성입니다
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메모리 포맷
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EEPROM
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기술
|
EEPROM
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메모리 용량
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1Mbit
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메모리구성
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128K X 8
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기억기접합
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SPI
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클럭 주파수
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20 마하즈
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페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다
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5명의 부인
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전압 - 공급
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1.7V ~ 5.5V
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작동 온도
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-40' C ~ 85' C (TA)
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증가하는 타입
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표면 부착
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패키지 / 건
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8 SOIC (0.154 ", 3.90 밀리미터 폭)
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공급자 소자 패키지
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8-soic
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베이스 상품 다수
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AT25M01
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추가 자원 :
특성 | 기술 |
이명 |
AT25M01-SSHM-TCT
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AT25M01-SSHM-TTR
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AT25M01-SSHM-TDKR
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표준 패키지 | 4000 |
특징
적합한 오우 에스피아이 (SPI)
오우 지원 SPI 방식 0 (0,0)와 3 (1,1) :
- 데이터 시트는 방식 0 활동을 설명합니다
오우 저전압 작동 :
- 1.7V (5.5V에 대한 VCC = 1.7V)
오우 산업용 온드범위 : +85' C에 대한 -40' C
오우 20 마하즈 클락 레이트 (5V)
오우 256-바이트 페이지 모드
오우 블록-기록 보호 :
- 1/4, 1/2 또는 전체 배열을 보호합니다
오우 라이트 프로텍트 (WP) 핀과 하드웨어와 소프트웨어 데이터 보호 모두에 대한 쓰기 불가 교육
5 부인 최대 이내에 오우 자기 동기형 기입 사이클
오우 ESD Protection > 4,000V
오우 높은 신뢰도 :
- 내구성 : 1,000,000이지 기입 사이클
- 데이터 유지 : 100년
오우 그린 (무연 / 무할로겐화물 / 로에스 순응하 ) 패키지 옵션
오우 다이 살레 선택 : 기판틀과 범핑된 웨이퍼
데이터 사진 :