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AT24CM02-SSHD-B eeprom 칩 대체 2Mbit I2C 1 마하즈 450 Ns 8-soic

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x범주 | 메모리 | 엠에프르 | 마이크로칩 테크놀로지 |
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패키지 | 튜브 | 기억 영역형 | 비휘발성입니다 |
메모리 포맷 | EEPROM | 기술 | EEPROM |
메모리 용량 | 2Mbit | 메모리구성 | 256K X 8 |
기억기접합 | I2C | 클럭 주파수 | 1 마하즈 |
전압 - 공급 | 2.5V ~ 5.5V | 작동 온도 | -40' C ~ 85' C (TC) |
하이 라이트 | AT24CM02-SSHD-B,eeprom 칩 대체,eeprom 칩 |
AT24CM02-SSHD-B EEPROM 메모리 IC 2Mbit I2C 1 마하즈 450 Ns 8-soic
기술 :
AT24CM02는 전기적으로 지울 수 있고 프로그램 가능한 2,097,152개 약간의 연속물을 제공합니다 판독 전용입니다
기억 (EEPROM)는 각각 8비트의 262,144마리의 말로서 조직했습니다. 장치의 계단식인 기능은 인정합니다
공통 두 와이어 버스를 공유하기 위한 최고 4까지 기기. 이 장치는 많은 인더스트리얼에 사용하기 위해 최적화됩니다고
저동력과 저전압 작동이 필수적인 상업적 응용 분야. 기기는 이용 가능합니다
SOIC과 8개 볼 WLCSP 패키지가 공간-절약 8에서 이릅니다. 모든 패키지는 1.7V에서부터 5.5V까지 작동합니다.
빠른 세부 사항 :
제조사
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마이크로칩 테크놀로지
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제조 상품 번호
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AT24CM02-SSHD-B
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기술
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IC EEPROM 2MBIT I2C 1MHZ 8SOIC
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상세한 설명
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EEPROM 메모리용 IC 2Mbit I2C 1 마하즈 450 나노 초 8 SOIC
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제품 속성 :
타입
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기술
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범주
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메모리
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엠에프르
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마이크로칩 테크놀로지
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패키지
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튜브
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제품 상태
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활동가
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기억 영역형
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비휘발성입니다
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메모리 포맷
|
EEPROM
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기술
|
EEPROM
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메모리 용량
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2Mbit
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메모리구성
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256K X 8
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기억기접합
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I2C
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클럭 주파수
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1 마하즈
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페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다
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10명의 부인
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엑세스 시간
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450 나노 초
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전압 - 공급
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2.5V ~ 5.5V
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작동 온도
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-40' C ~ 85' C (TC)
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증가하는 타입
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표면 부착
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패키지 / 건
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8 SOIC (0.154 ", 3.90 밀리미터 폭)
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공급자 소자 패키지
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8-soic
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베이스 상품 다수
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AT24CM02
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추가 자원 :
특성 | 기술 |
표준 패키지 | 100 |
특징
오우 저전압과 표준 전압 작동 :
- 5.5V에 대한 VCC = 1.7V
- 5.5V에 대한 VCC = 2.5V
내부로 262,144 X 8 (2-Mbit)로 구성된 오우
오우 산업용 온드범위 : +85' C에 대한 -40' C
오우 I2C-Compatible (2가닥 도선) 직렬 인터페이스 :
- 100 킬로 헤르츠 표준 모드, 1.7V에서 5.5V
- 400 킬로 헤르츠 패스트 모드, 1.7V에서 5.5V
- (FM+) 외에 1 마하즈 패스트 모드, 2.5V에서 5.5V
오우 슈미터 트리거, 소음 억제를 위한 필터된 입력
오우 양방향성 데이터 전송 프로토콜
가득 찬 배열 하드웨어 데이터 보호를 위한 오우 라이트 프로텍트 핀
오우 극저 유효 전류 (3 마 최대)과 대기 전류 (3 uA 최대)
오우 256 바이트 페이지 라이트 모드 :
- 바이트 기입과 부분 페이지는 허락되어서 씁니다
오우 임의와 연속하는 읽기 모드
오우 자기 동기형 기입 사이클 :
- 모든 기록 작업은 10 부인 최대 이내에 완성합니다
오우 짜맞춘 오류 검출과 수정
오우 높은 신뢰도 :
- 내구성 : 1,000,000이지 기입 사이클
- 데이터 유지 : 100년
오우 그린 패키지 옵션 (순응한 무연 / 무할로겐화물 / 로에스)
오우 다이 살레 선택 : 기판틀과 범핑된 웨이퍼
데이터 사진 :