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25LC512T-I/SN 순간 IC 메모리 EEPROM 512Kbit SPI 20 마하즈 8-soic

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x범주 | 메모리 | 엠에프르 | 마이크로칩 테크놀로지 |
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패키지 | 테이프 & 릴 (TR)/Cut 테이프 (CT) | 기억 영역형 | 비휘발성입니다 |
메모리 포맷 | EEPROM | 기술 | EEPROM |
메모리 용량 | 512Kbit | 메모리구성 | 64K X 8 |
기억기접합 | SPI | 클럭 주파수 | 20 마하즈 |
전압 - 공급 | 2.5V ~ 5.5V | 작동 온도 | -40' C ~ 85' C (TA) |
하이 라이트 | 순간 ic eeprom,IC 플래쉬 메모리,25lc512t-i/sn 데이터 시트 |
25LC512T-I/SN EEPROM 메모리 IC 512Kbit SPI 20 마하즈 8-soic
기술 :
마이크로칩 테크놀로지 사 25LC512는 바이트급과 512 Kbit 시리얼 이이피롬 메모리이고 페이지 수준입니다
시리얼 이이피롬 기능. 그것은 또한 일반적으로과 함께 제휴한 페이지, 부문과 칩 소거 능력을 특징으로 합니다 플래시 기반
제품. 이러한 기능은 바이트 또는 페이지 쓰기 작동에 불필요합니다. 메모리는 단순한 일련인 것을 통해 접근됩니다
주변 인터페이스 (SPI) 적합한 직렬 버스. 요구된 버스 신호는 (SI)에 각각의 데이터 외에 클락 입력 (SCK) 입니다
그리고 (SO) 라인 바깥쪽의 자료. 장치에 대한 접근은 칩 선택 (CS) 입력에 의해 제어됩니다.
빠른 세부 사항 :
제조사
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마이크로칩 테크놀로지
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제조 상품 번호
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25LC512T-I/SN
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기술
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IC EEPROM 512KBIT SPI 8SOIC
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상세한 설명
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EEPROM 메모리용 IC 512Kbit SPI 20 마하즈 8-soic
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제품 속성 :
타입
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기술
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범주
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메모리
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엠에프르
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마이크로칩 테크놀로지
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제품 상태
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활동가
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프로그램 가능한 디지키
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검증됩니다
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기억 영역형
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비휘발성입니다
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메모리 포맷
|
EEPROM
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기술
|
EEPROM
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메모리 용량
|
512Kbit
|
메모리구성
|
64K X 8
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기억기접합
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SPI
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클럭 주파수
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20 마하즈
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페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다
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5명의 부인
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전압 - 공급
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2.5V ~ 5.5V
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작동 온도
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-40' C ~ 85' C (TA)
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증가하는 타입
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표면 부착
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패키지 / 건
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8 SOIC (0.154 ", 3.90 밀리미터 폭)
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공급자 소자 패키지
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8-soic
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베이스 상품 다수
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25LC512
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추가 자원 :
특성 | 기술 |
이명 |
25LC512TISN
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25LC512T-I/SNDKR
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25LC512T-I/SNTR
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25LC512T-I/SNCT
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표준 패키지 | 3300 |
특징
오우 20 마하즈 최대. 클럭 속도
오우 바이트와 페이지 수준 기록 작업 :
- 128 바이트 페이지
- 5 부인 맥스.
- 어떤 페이지 또는 분야도 요구되어서 쉽게 지워지지 않습니다
오우 저동력 CMOS 기술 :
- 맥스. 경향을 작성하세요 : 5.5V, 20 마하즈에 있는 5 마
- 읽기전류 : 5.5V, 20 마하즈에 있는 10 마
- 대기 전류 : 2.5V (깊은 전력 강하)에 있는 1A
디바이스 ID를 위한 오우 전자 서명
자기 동기형인 오우는 사이클을 없애고 작성합니다 :
- 페이지는 (전형적인 5 부인 콤마)를 없앱니다
- (전형적인 10개 부인 / 분야) 섹터 소거
- (전형적인 10 부인 콤마) 벌크 이레이즈
오우 분야 기록 보호 (16K 바이트 / 분야) :
- 어떤 것도 보호하지는 않습니다, 1/4, 1/2 또는 배열의 모두
오우 짜맞춘 기록 보호 :
- 전원 연결 / 오프 데이터 보호 회로
- 기록 허용 래치
- 라이트 프로텍트 핀
오우 높은 신뢰도 :
- 내구성 : 100만은 / 기입 사이클을 없앱니다
- 데이터 유지 : >200년
- ESD 보호 : >4000V
지원받은 오우 온도 범위 :
- 인더스트리얼 (I) : +85' C에 대한 -40' C
- (E)에게 다음을 제공했습니다 +125' C에 대한 -40' C
오우 로에스 순응합니다
오우 자동차 AEC-Q100 자격 있습니다
데이터 사진 :