• Shenzhen Zhaocun Electronics Co., Ltd.
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담당자 : will
전화 번호 : 13418952874
중국 TC58BVG0S3HTA00 낸드 플래시 메모리 IC 칩 SLC 1Gbit 대비 25 Ns 48-tsop

TC58BVG0S3HTA00 낸드 플래시 메모리 IC 칩 SLC 1Gbit 대비 25 Ns 48-tsop

범주: 메모리
엠에프르: 키옥사이아 미국, Inc.
시리즈: 베나트텀
중국 2.7V 전압 플래시 메모리 IC 칩 KIOXIA/TOSHIBA TC58BVG1S3HTA00 512MB SLC

2.7V 전압 플래시 메모리 IC 칩 KIOXIA/TOSHIBA TC58BVG1S3HTA00 512MB SLC

오류 수정 코드: 비 ECC
자료 비율: 3200MHZ
전압: 1.2V
중국 2.7V 전압 플래시 메모리 IC 칩 KIOXIA/TOSHIBA TC58NVG2S0HTAI0 512MB SLC

2.7V 전압 플래시 메모리 IC 칩 KIOXIA/TOSHIBA TC58NVG2S0HTAI0 512MB SLC

폼 팩터: TSOP
전압: 2.7V ~ 3.6V
시리즈: 트레이
중국 8GB eMMC iNAND AT EM122 Grade2 SDINBDG4-8G-ZAT WD/샌디스크

8GB eMMC iNAND AT EM122 Grade2 SDINBDG4-8G-ZAT WD/샌디스크

열 분산기: 아니
기억장치 용량: 8GB
보증: 수명
중국 모듈 메모리 IC 칩 8GB EMMC5.1 HS400 KLM8G1GETF-B041 SAMSUNG

모듈 메모리 IC 칩 8GB EMMC5.1 HS400 KLM8G1GETF-B041 SAMSUNG

폼 팩터: DIMM
열 분산기: 아니
보증: 수명
중국 토시바 키오시아 8GB EMMC THGBMJG6C1LBAIL

토시바 키오시아 8GB EMMC THGBMJG6C1LBAIL

시리즈: 하이퍼엑스 퓨리
폼 팩터: DIMM
기억 영역형: 에m크
중국 도시바 키오시아 4GB EMMC5.0 FG THGBMNG5D1LBAIT

도시바 키오시아 4GB EMMC5.0 FG THGBMNG5D1LBAIT

폼 팩터: DIMM
보증: 수명
모듈 타입: 비완충된
중국 EMMC 메모리 IC 칩 64GB 용량 연장 수명 SDINBDG4-64G-XI1 SANDISK

EMMC 메모리 IC 칩 64GB 용량 연장 수명 SDINBDG4-64G-XI1 SANDISK

전압: 1.2V
led 라이트닝: 아니
기억 영역형: 에m크
중국 마이크로 MT29F16G08ABACAWP-ITZ: C 플래시 메모리 IC 칩

마이크로 MT29F16G08ABACAWP-ITZ: C 플래시 메모리 IC 칩

공급자의 장치 패키지: 48-TSOP MT29F16G08ABACAWP-ITZ:C
패키지 / 케이스: 48 TFSOP (0.724 ", 18.40 밀리미터 폭)
메모리 용량: 32Gbit
중국 스트미크로일렉트로닉스 M24C32-DRMN3TP/K EEPROM 메모리 IC 칩 32Kbit I2C 1 마하즈 450 Ns 8-soic

스트미크로일렉트로닉스 M24C32-DRMN3TP/K EEPROM 메모리 IC 칩 32Kbit I2C 1 마하즈 450 Ns 8-soic

범주: 메모리
엠에프르: 스트미크로일렉트로닉스
시리즈: M24C32-A125
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