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담당자 :
will
전화 번호 :
13418952874
STM32H743ZGT6 팔 Cortex-M7 STM32H7 마이크로컨트롤러 IC 32-비트 단일코어 480MHz 1MB 1M Ｘ 8 플래시 144 LQFP20x20)
| 원래 장소 | 미국 |
|---|---|
| 브랜드 이름 | STMicroelectronics |
| 인증 | RoHS |
| 모델 번호 | STM32H743ZGT6 |
| 최소 주문 수량 | 360 PC |
| 가격 | Negotiable |
| 포장 세부 사항 | 360 PC / 테이프 |
| 배달 시간 | 2-3 일 |
| 지불 조건 | L/C (신용장), 인수 인도, D/P (지급도 조건), 전신환 |
| 공급 능력 | 1440K PC |
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x제품 상세 정보
| 제조사 | 스트미크로일렉트로닉스 | 범주 | 마이크로컨트롤러 |
|---|---|---|---|
| 상품 번호 | STM32H743ZGT6 | 시리즈 | STM32H7 |
| 제품 상태 | 활동가 | 핵심 프로세서 | ARM® Cortex®-M7 |
| 핵심 사이즈 | 32-비트 단일코어 | 속도 | 480MHz |
| 연결성 | 캔뷔스, EBI / EMI, 이더넷, I2C, 적외선 통신 협회, 린뷔스, MDIO, MMC / SD / 전략 방위 구상국, QSPI, SAI, SPDIF, SPI, SWPMI, | 주변 기기 | 절전은 / 리셋, DMA, I2S, LCD, 포르, PWM, WDT를 발견합니다 |
| 입출력의 수 | 114 | 프로그램 메모리 규모 | 1MB (1M x 8) |
| 프로그램 메모리 종류 | 플래시 | RAM 사이즈 | 1M Ｘ 8 |
| 전압 - 공급 (Vcc/Vdd) | 1.62V ~ 3.6V | 데이터 변환기 | 자동 예금기 36x16b ; 인수 인도 2x12b |
| 오실레이터형 | 내부의 | 작동 온도 | -40' Ｃ ~ 85' Ｃ (TA) |
| 증가하는 타입 | 표면 부착 | 패키지 / 건 | 144-LQFP |
| 공급자 소자 패키지 | 144-lqfp (20x20) | ||
| 하이 라이트 | STM32H743ZGT6,마이크로컨트롤러 ic 32 비트,stm32h743zgt6 데이터 시트 |
||
제품 설명
STM32H743ZGT6 ARM® Cortex®-M7 STM32H7 마이크로컨트롤러 IC 32-비트 단일코어 480MHz 1MB (1M x 8) 순간 144-lqfp (20x20)
데이터 시트 :STM32H743ZGT6
| 범주 | 마이크로컨트롤러 |
| 엠에프르 | 스트미크로일렉트로닉스 |
| 시리즈 | STM32H7 |
| 패키지 | 트레이 |
| 제품 상태 | 활동가 |
| 핵심 사이즈 | 32-비트 단일코어 |
| 속도 | 480MHz |
| 입출력의 수 | 114 |
| 프로그램 메모리 규모 | 1MB (1M x 8) |
| 프로그램 메모리 종류 | 플래시 |
| RAM 사이즈 | 1M Ｘ 8 |
| 전압 - 공급 (Vcc/Vdd) | 1.62V ~ 3.6V |
| 데이터 변환기 | 자동 예금기 36x16b ; 인수 인도 2x12b |
| 오실레이터형 | 내부의 |
| 작동 온도 | -40' Ｃ ~ 85' C(TA) |
| 증가하는 타입 | 표면 부착 |
| 패키지 / 건 | 144-LQFP |
| 공급자 소자 패키지 | 144-lqfp (20x20) |
| 베이스 상품 다수 | STM32H743 |
메모리
리드와일 기입 지원과 플래쉬 메모리의 2 마바이트스에 대한 oUp
RAM의 오우 최고 1까지 메가바이트 : TCM RAM (시간 비판적 루틴을 위한 DTCM RAM의 ITCM RAM + 128 킬로바이트의 사 64 킬로바이트)의 192 킬로바이트와 사용자 SRAM의 최고 864까지 킬로바이트와 예방 도메인에서 SRAM의 4 킬로바이트
133 마하즈에 뛰어가는 오우 2중 모드 쿼드-SPI 기억기접합
최고 32까지 비트 데이터 버스와 오우 탄력적 외부 메모리 제어기 : SRAM, 퍼슈도스태틱 메모리, SDRAM / LPSDR SDRAM, NOR / 낸드 플래시 메모리는 동기 모드로 최고 100까지 마하즈를 시간을 쟀습니다
오우 CRC 계산부
리셋과 전원관리
떨어져서 독립적으로 클록 게이트 또는 교환될 수 있는 오우 3 분리 전력 도메인 :
- D1 : 고성능 기능
- D2 : 통신 주변 장치와 타이머들
- D3 : 리셋 / 클럭 제어 / 전원관리
3.6 Ｖ 애플리케이션 공급과 I/Os에 대한 오우 1.62
오우 피오알, PDR, PVD와 BOR
내부 PHY를 공급하기 위해 3.3 Ｖ 내부 레귤레이터를 끼워 넣는 오우 헌신적 USB 권력
디지털 회로를 공급하기 위한 쉽게 잘 믿는 기준화할 수 있는 출력과 오우 내장된 규제 기관 (LDO)
실행과 정지모드 (6이지 쉽게 잘 믿는 범위)에서 오우 전압 크기 조정
오우 백업 규제 기관 (~0.9 V)
아날로그 peripheral/VREF+를 위한 오우 전압 기준
오우 저-전력 모드 : 수면, 정지, 저전력 소비를 고발하는 배터리를 지원하는 대기중이고 VBAT
충전 역량과 오우 VBAT 배터리 작동 모드
오우 CPU와 도메인 권력 상태 모니터링 핀
대기 모드 (백업 SRAM 꺼짐 상태, RTC / LSE ON)로 오우 2.95 uA
데이터 사진 :
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